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国内首条自主研发DDR4内存确认将会在明年问世

2017-12-29 11:38 来源:中视财经网T|T

  记者了解到,据资料显示,紫光投资的长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。可以预见,一旦未来两年国产3D闪存、内存芯片投入生产,内存、闪存市场将会迎来剧变,美日韩垄断市场的局面将会被打破。

  此外,一张印有紫光国芯(UniIC)LOGO的内存条最近被网上曝光,有人称这就是紫光自主研发的DDR4内存。大家在激动的同时,普遍怀疑图片的真实性。

  

  DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。

  DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,能源节省高达40%。

  随后12月28日紫光官方主动承认,他们表示这虽然不是真的,但是确实在开展DDR4存储芯片和模组的设计与开发工作,而按照计划,该产品将会在明年逐步推向市场。

  也就是说,国内首条自主研发DDR4内存确认将会在明年问世。

作者:佚名   责任编辑:霏霏
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